SBL3030PT

更新时间： 2024-02-09 01:18:56

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美台 - DIODES		整流二极管
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2页	67K
描述
30A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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SBL3030PT 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.16
Is Samacsys：	N	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.55 V	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	275 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	15 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大反向电流：	1000 µA	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

SBL3030PT 数据手册

100

SBL3030PT - SBL30450PT

SBL3050PT - SBL3060PT

1.0

T_j= 25°C

Pulse width = 300 µs

2% duty cycle

0.1

150

100

0.2

0.4

0.6

0.8

T_C, CASE TEMPERATURE (°C)

Fig. 1 Forward Derating Curve

V_F, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)

Fig. 2 Typical Fwd Characteristics per Element

4000

300

T_j= 25°C

f = 1MHz

8.3 ms single half-sine-wave

JEDEC method

250

200

1000

150

100

0.1

1.0

V_R, REVERSE VOLTAGE (V)

Fig. 4 Typical Junction Capacitance per Element

100

NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz

100

Fig. 3 Max Non-Repetitive Peak Fwd Surge Current

100

T_C= 100°C

T_C= 75°C

1.0

T_C= 25°C

0.1

0.01

120

PERCENT OF PEAK REVERSE VOLTAGE (%)

Fig. 5 Typical Reverse Characteristics per Element

DS23018 Rev. E-2

2 of 2

SBL3030PT - SBL3060PT

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