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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> SBL2035CT-A
SBL2035CT-A PDF预览

SBL2035CT-A

更新时间： 2024-02-19 14:58:15
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 70K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 35V V(RRM), Silicon

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SBL2035CT-A 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3P
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-3P, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.54
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.6 VJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：250 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
最大输出电流：20 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：35 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Bright Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

SBL2035CT-A 数据手册

 浏览型号SBL2035CT-A的Datasheet PDF文件第2页 
SBL2030CT - SBL2060CT  
20A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
Features  
·
·
Schottky Barrier Chip  
Guard Ring Die Construction for  
Transient Protection  
TO-220AB  
·
·
·
Low Power Loss, High Efficiency  
High Surge Capability  
High Current Capability and Low Forward  
Voltage Drop  
For Use in Low Voltage, High Frequency  
Inverters, Free Wheeling, and Polarity  
Protection Applications  
Plastic Material: UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
L
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
14.22  
9.65  
2.54  
5.84  
¾
Max  
15.88  
10.67  
3.43  
B
M
C
D
E
·
·
K
A
6.86  
6.35  
1
2
3
G
H
J
12.70  
2.29  
0.51  
14.73  
2.79  
G
1.14  
Mechanical Data  
·
J
N
K
L
3.53Æ 4.09Æ  
Case: Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: As Marked on Body  
Weight: 2.24 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
3.56  
1.14  
0.30  
2.03  
4.83  
1.40  
0.64  
2.92  
·
H
H
P
M
N
P
Pin 1  
Pin 2  
Pin 3  
·
·
·
·
Case  
All Dimensions in mm  
Marking: Type Number  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
SBL  
SBL  
SBL  
SBL  
SBL  
SBL  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
2030CT 2035CT 2040CT 2045CT 2050CT 2060CT  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
30  
21  
35  
40  
28  
45  
50  
35  
60  
42  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
24.5  
31.5  
V
A
Average Rectified Output Current  
(Note 1)  
20  
@ TC = 95°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms  
single half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
250  
A
VFM  
IRM  
Forward Voltage Drop  
@ IF = 10A, TC = 25°C  
0.55  
0.75  
V
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@TC 25°C  
=
1.0  
50  
mA  
@ TC = 100°C  
Cj  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
650  
2.8  
pF  
°C/W  
°C  
RqJC  
Typical Thermal Resistance Junction to Case (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj, TSTG  
-65 to +150  
Notes:  
1. Thermal resistance junction to case mounted on heatsink.  
2. Measured at 1.0 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V DC.  
DS23015 Rev. F-2  
1 of 2  
SBL2030CT-SBL2060CT  
12

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