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SB3H100

更新时间： 2024-02-07 05:01:12

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森美特 - SUNMATE		二极管
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2页	356K
描述
3A Plug-in Schottky diode 100V DO-201 series

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SB3H100 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.7	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.65 V	最大非重复峰值正向电流：	100 A
元件数量：	1	最高工作温度：	175 °C
最大输出电流：	3 A	最大重复峰值反向电压：	100 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	Base Number Matches：	1

SB3H100 数据手册

SB3H90- SB3H100

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER DIODE

VOLTAGE RANGE: 9 0 - 100V

CURRENT: 3.0 A

Features

Schottky Barrier Chip

Guard Ring Die Construction for

Transient Protection

High Current Capability

Low Power Loss, High Efficiency

High Surge Current Capability

For Use in Low Voltage, High Frequency

Inverters, Free Wheeling, and Polarity

Protection Applications

Mechanical Data

DO-201AD

Min

Case: DO-201AD, Molded Plastic

Dim

Max

Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-202, Method 208

Polarity: Cathode Band

25.40

7.20

9.50

1.30

5.30

1.20

Weight: 1.2 grams (approx.)

Mounting Position: Any

4.80

All Dimensions in mm

Marking: Type Number

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

T_A= 25ꢀC unless otherwise specified

For capacitive load, derate current by 20%.

Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

Parameter

Symbol

SB3H90

SB3H100

Unit

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum working reverse voltage

Maximum DC blocking voltage

V_RRM

V_RWM

V_DC

100

Maximum average forward rectified current at T_L= 90°C

I_F(AV)

3.0

Peak forward surge current

8.3ms single half sine-wave superimposed on

rated load (JEDEC Method)

I_FSM

100

Peak repetitive reverse surge current at t_p= 2.0µs, 1KH_Z

I_RRM

dv/dt

1.0

Critical rate of rise of reverse voltage

10,000

V/µs

R_θJA

R_θJL

Maximum thermal resistance⁽²⁾

°C/W

Storage temperature range

T_STG

T_J

–55 to +175

+175

°C

Maximum operating junction temperature

Electrical Characteristics

(T_A= 25°C unless otherwise noted)

Maximum instantaneous

forward voltage at: ⁽¹⁾

I_F= 3.0A, T_J= 25°C

I_F= 3.0A, T_J= 125°C

0.80

0.65

V_F

I_R

Maximum DC reverse current

at rated DC blocking voltage

T_J= 25°C

T_J= 125°C

µA

Notes:

(1) Pulse test: 300µs pulse width, 1% duty cycle

(2) P.C.B. mounted with 0.2 x 0.2” (5.0 x 5.0mm) copper pad areas

1 of 2

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