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SB3H100HE3

更新时间： 2024-01-17 02:55:30
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
4页 326K
描述
DIODE 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode

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SB3H100HE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-201AD
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.72
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS, LOW LEAKAGE CURRENT, HIGH RELIABILITY应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-201ADJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：100 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：MATTE TIN
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLEBase Number Matches：1

SB3H100HE3 数据手册

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SB3H90 & SB3H100  
New Product  
Vishay General Semiconductor  
High-Voltage Schottky Rectifier  
High Barrier Technology for improved  
high temperature performance  
Major Ratings and Characteristics  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
VF  
3.0 A  
90 V, 100 V  
100 A  
0.65 V  
DO-201AD  
IR  
20 µA  
Tj max.  
175 °C  
Features  
Mechanical Data  
• Guardring for overvoltage protection  
• Low power losses and high efficiency  
• Low forward voltage drop  
Case: DO-201AD  
Epoxy meets UL 94V-0 Flammability rating  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002B and JESD22-B102D  
E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high  
reliability grade (AEC Q101 qualified)  
• Low leakage current  
• High forward surge capability  
• High frequency operation  
Polarity: Color band denotes the cathode end  
• Solder Dip 260 °C, 40 seconds  
Typical Applications  
For use in middle voltage high frequency inverters,  
free wheeling, dc-to-dc converters, and polarity pro-  
tection applications  
Maximum Ratings  
TA = 25 °C unless otherwise specified  
Parameter  
Symbol  
VRRM  
SB3H90  
90  
SB3H100  
100  
Unit  
V
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum working reverse voltage  
VRWM  
VDC  
90  
90  
100  
100  
V
V
A
A
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified current at TL = 90 °C  
IF(AV)  
IFSM  
3.0  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
100  
Peak repetitive reverse surge current at tp = 2.0 µs, 1 KHz  
IRRM  
1.0  
A
Critical rate of rise of reverse voltage  
Storage temperature range  
dv/dt  
TSTG  
10000  
V/µs  
°C  
- 55 to + 175  
175  
Maximum operating junction temperature  
TJ  
°C  
Document Number 88720  
28-Jun-05  
www.vishay.com  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SB3H100HE3/54 VISHAY

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 		High-Voltage Schottky Rectifier High Barrier Technology for Improved High Temperature Perf
SB3H100-HE3/54 VISHAY

获取价格

 		3A, 100V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
SB3H100HE3/73 VISHAY

获取价格

 		High-Voltage Schottky Rectifier High Barrier Technology for Improved High Temperature Perf
SB3H60AF PANJIT

获取价格

 		SCHOTTKY RECTIFIER
SB3H60AF_R1_00001 PANJIT

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 		SCHOTTKY RECTIFIER
SB3H60AF_R2_00001 PANJIT

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 		SCHOTTKY RECTIFIER
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