SB1680DC-T3

更新时间： 2024-02-09 09:29:10

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WTE		整流二极管瞄准线功效
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3页	46K
描述
16A D2PAK SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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SB1680DC-T3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.26
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	CATHODE	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.85 V	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	150 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	8 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大重复峰值反向电压：	80 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

SB1680DC-T3 数据手册

1620DC - 1640DC

1650DC - 1660DC

1680DC - 16100DC

T_j= 25ºC

Single Pulse Half-Wave

60 Hz Resistive or Inductive Load

Pulse Width = 300 µs

2% Duty Cycle

0.1

100 120

140150

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

T_C, CASE TEMPERATURE (ºC)

V_F, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)

Fig. 2 Typical Forward Characteristics

Fig. 1 Forward Current Derating Curve

2000

150

120

T_j= 25ºC

f = 1MHz

1000

8.3ms Single Half Sine-Wave

JEDEC Method

100

0.1

1.0

100

NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz

Fig. 3 Maximum Non-Repetitive Peak Fwd Surge Current

V_R, REVERSE VOLTAGE (V)

Fig. 4 Typical Junction Capacitance

SB1620DC – SB16100DC

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
SB1680DC-T3-LF	WTE	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 8A, 80V V(RRM), Silicon, TO-263AB, ROHS COM	获取价格
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