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SB1680DC-T3-LF

更新时间： 2024-01-01 11:21:56

品牌	Logo	应用领域
WTE		功效瞄准线二极管
页数	文件大小	规格书
4页	62K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 8A, 80V V(RRM), Silicon, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3

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SB1680DC-T3-LF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.26
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	CATHODE	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.85 V	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	150 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	8 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大重复峰值反向电压：	80 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

SB1680DC-T3-LF 数据手册

WTE

POWER SEMICONDUCTORS

SB1620DC – SB16100DC

16A SURFACE MOUNT DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Features

ꢀ

Schottky Barrier Chip

ꢀ

Guard Ring Die Construction for

Transient Protection

ꢀ

Low Forward Voltage Drop

Low Power Loss, High Efficiency

High Surge Current Capability

For Use in Low Voltage, High Frequency

Inverters, Free Wheeling, and Polarity

Protection Applications

PIN 1

D²PAK/TO-263

Min

Mechanical Data

ꢀ

Dim

Max

10.40

10.60

4.80

9.10

—

Case: D²PAK/TO-263, Molded Plastic

Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-202, Method 208

9.80

ꢀ

9.60

4.40

ꢀ

Polarity: See Diagram

Weight: 1.7 grams (approx.)

Mounting Position: Any

Marking: Type Number

Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,

Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4

PIN 1

PIN 3

8.50

Case, PIN 2

2.80

1.00

1.40

0.90

1.40

0.70

2.75

—

1.20

0.30

2.35

All Dimensions in mm

Maximum Ratings and Electrical Characteristics @T_A=25°C unless otherwise specified

Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%.

Characteristic

Symbol

Unit

1620DC 1630DC 1640DC 1645DC 1650DC 1660DC 1680DC 16100DC

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

VRRM

V^RWM

100

RMS Reverse Voltage

VR(RMS)

Average Rectified Output Current @T_C= 105°C

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

8.3ms Single half sine-wave superimposed

on rated load (JEDEC Method)

I^FSM

150

Forward Voltage

@I_F= 8.0A

VFM

I^RM

0.55

0.75

0.85

Peak Reverse Current

@T_A= 25°C

1.0

At Rated DC Blocking Voltage @T_A= 100°C

Typical Junction Capacitance (Note 1)

Typical Thermal Resistance (Note 2)

400

2.0

°C/W

°C

RθJC

Operating and Storage Temperature Range

Tj, TSTG

-65 to +150

Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.

2. Mounted on minimum recommended pad size on FR-4 board.

SB1620DC – SB16100DC

1 of 4

12 3 4

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