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SB1660FCT-LF PDF预览

SB1660FCT-LF

更新时间： 2024-02-28 01:34:36
品牌 Logo 应用领域
WTE 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
4页 45K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 8A, 60V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220, 3 PIN

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SB1660FCT-LF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.19其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.75 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：2
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260最大重复峰值反向电压：60 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

SB1660FCT-LF 数据手册

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WTE  
POWER SEMICONDUCTORS  
SB1620FCT – SB16100FCT  
16A DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
Features  
ꢀ
Schottky Barrier Chip  
B
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Guard Ring for Transient Protection  
Low Forward Voltage Drop  
Low Reverse Leakage Current  
High Surge Current Capability  
Plastic Material has UL Flammability  
Classification 94V-O  
ITO-220  
C
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
14.60  
9.70  
2.55  
2.70  
13.00  
0.50  
3.00 Ø  
6.30  
4.20  
2.50  
0.50  
2.70  
2.29  
Max  
15.40  
10.30  
2.85  
G
A
E
PIN1  
2
3
3.30  
D
13.80  
0.75  
F
G
H
I
3.50 Ø  
6.90  
Mechanical Data  
ꢀ
F
Case: ITO-220, Full Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: See Diagram  
Weight: 2.24 grams (approx.)  
4.80  
ꢀ
P
J
2.90  
K
L
0.75  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
I
3.15  
P
2.79  
Mounting Position: Any  
H
L
J
All Dimensions in mm  
Mounting Torque: 11.5 cm-kg (10 in-lbs) Max.  
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,  
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4  
PIN 1 -  
PIN 3 -  
+
PIN 2  
K
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
SB  
SB  
SB  
SB  
SB  
SB  
SB  
SB  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
1620FCT 1630FCT 1640FCT 1645FCT 1650FCT 1660FCT 1680FCT 16100FCT  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
20  
14  
30  
21  
40  
28  
45  
32  
50  
35  
60  
42  
80  
56  
100  
70  
V
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
IO  
V
A
Average Rectified Output Current @TC = 95°C  
16  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single half sine-wave superimposed  
on rated load (JEDEC Method)  
IFSM  
150  
A
Forward Voltage  
@IF = 8.0A  
VFM  
IRM  
0.55  
0.75  
0.85  
V
Peak Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage @TA = 100°C  
@TA = 25°C  
0.5  
100  
mA  
Typical Junction Capacitance (Note 1)  
Cj  
700  
pF  
°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj, TSTG  
-65 to +150  
Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
SB1620FCT – SB16100FCT  
1 of 4  
© 2006 Won-Top Electronics  
1234

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SB1660F-LF WTE Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 16A, 60V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ITO-220

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