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SB1680CT

更新时间： 2024-01-22 12:46:48
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WTE 整流二极管局域网
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3页 41K
描述
16A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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SB1680CT 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PSFM-T2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.67
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.85 VJEDEC-95代码：TO-220AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T2最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：16 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT最大重复峰值反向电压：80 V
最大反向电流：500 µA表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

SB1680CT 数据手册

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WTE  
POWER SEMICONDUCTORS  
SB1620CT – SB16100CT  
16A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
Features  
!
Schottky Barrier Chip  
B
!
!
!
!
!
Guard Ring for Transient Protection  
High Current Capability, Low Forward  
Low Reverse Leakage Current  
High Surge Current Capability  
Plastic Material has UL Flammability  
Classification 94V-O  
TO-220  
C
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
14.9  
—
Max  
15.1  
10.5  
2.87  
4.06  
14.22  
0.94  
3.91 Ø  
6.86  
4.70  
2.79  
0.64  
1.40  
2.67  
G
F
A
2.62  
3.56  
13.46  
0.68  
3.74 Ø  
5.84  
4.44  
2.54  
0.35  
1.14  
2.41  
PIN1  
2
3
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ D  
F
G
H
I
Mechanical Data  
!
!
E
Case: TO-220 Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-750, Method 2026  
Polarity: As Marked on Body  
Weight: 2.24 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
P
J
K
L
!
!
!
!
I
L
J
P
H
All Dimensions in mm  
Marking: Type Number  
PIN 1 -  
PIN 3 -  
+
Case PIN 2  
K
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
SB  
SB  
SB  
SB  
SB  
SB  
SB  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
1620CT 1630CT 1640CT 1650CT 1660CT 1680CT 16100CT  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
20  
14  
30  
21  
40  
28  
50  
60  
42  
80  
56  
100  
70  
V
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
IO  
35  
16  
V
A
Average Rectified Output Current  
@TC = 95°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms  
Single half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
150  
A
Forward Voltage  
@IF = 8.0A  
VFM  
IRM  
0.55  
0.75  
0.85  
V
Peak Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TA = 25°C  
@TA = 100°C  
0.5  
100  
mA  
Typical Junction Capacitance (Note 1)  
Cj  
700  
pF  
°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj, TSTG  
-65 to +150  
Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
SB1620CT – SB16100CT  
1 of 3  
© 2002 Won-Top Electronics  
123

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
SB1680CT-LF WTE Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 8A, 80V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ROHS COM

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SB1680D WON-TOP SMD

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SB1680DC PANJIT D2PAK SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER(VOLTAGE - 20 to 100 Volts CURRENT - 16.0 Am

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SB1680DCN-T3 WTE Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 8A, 80V V(RRM), Silicon, TO-263AB, TO-263,

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