Datasheet > SB1680DCN-T3

SB1680DCN-T3

更新时间： 2024-02-05 20:00:36

品牌	Logo	应用领域
WTE		功效瞄准线二极管
页数	文件大小	规格书
3页	45K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 8A, 80V V(RRM), Silicon, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SB1680DCN-T3 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	TO-263, D2PAK-3/2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.84	其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：	EFFICIENCY	外壳连接：	ANODE
配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.85 V
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值正向电流：	150 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-50 °C	最大输出电流：	8 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大重复峰值反向电压：	80 V
最大反向电流：	500 µA	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

SB1680DCN-T3 数据手册

WTE

POWER SEMICONDUCTORS

SB1620DC – SB16100DC

16A D²PAK SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Features

Schottky Barrier Chip

Guard Ring Die Construction for

Transient Protection

High Current Capability

Low Power Loss, High Efficiency

High Surge Current Capability

For Use in Low Voltage, High Frequency

Inverters, Free Wheeling, and Polarity

Protection Applications

PIN 1

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ K

D²PAK/TO-263

Mechanical Data

Dim

Min

9.8

9.6

4.4

8.5

—

Max

10.4

10.6

4.8

Case: Molded Plastic

Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-202, Method 208

Polarity: Cathode Band

PIN 1 -

PIN 3 -

9.1

Case PIN 2

0.7

Weight: 1.7 grams (approx.)

Mounting Position: Any

1.0

—

1.4

Potive CT

0.9

Marking: Type Number

PIN 1 +

PIN 3 +

1.2

0.3

2.35

1.4

Standard Packaging: 24mm Tape (EIA-481)

Case PIN 2

0.7

Negative CT

2.75

Suffix with “N”

All Dimensions in mm

Maximum Ratings and Electrical Characteristics ^@T_A^{=25°C unless otherwise specified}

Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%.

Characteristic

Symbol

Unit

1620DC 1630DC 1640DC 1650DC 1660DC 1680DC 16100DC

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V^RRM

V^RWM

V^R

100

RMS Reverse Voltage

V^R(RMS)

I^O

Average Rectified Output Current @T_C= 90°C

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

8.3ms Single half sine-wave superimposed

on rated load (JEDEC Method)

I^FSM

150

Forward Voltage

@I_F= 8.0A

V^FM

I^RM

0.55

0.75

0.85

Peak Reverse Current

At Rated DC Blocking Voltage

@T_A= 25°C

@T_A= 100°C

0.5

100

Typical Junction Capacitance (Note 1)

C^j

700

K/W

°C

Typical Thermal Resistance Junction to Ambient

Operating and Storage Temperature Range

R^ꢀ^JA

T^j, T^STG

-50 to +150

Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.

SB1620DC – SB16100DC

1 of 3

12 3

下载PDF

与SB1680DCN-T3相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
SB1680DC-T3	WTE	16A D2PAK SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER	获取价格
SB1680DC-T3-LF	WTE	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 8A, 80V V(RRM), Silicon, TO-263AB, ROHS COM	获取价格
SB1680F	TRSYS	ISOLATION SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS	获取价格
SB1680F	WON-TOP	Powerpack	获取价格
SB1680FCT	WTE	16A ISOLATION SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER	获取价格
SB1680FCT	PANJIT	ISOLATION SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS	获取价格

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SB1680DCN-T3

SB1680DCN-T3 技术参数

SB1680DCN-T3 数据手册

与SB1680DCN-T3相关器件

与SB1680DCN-T3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SB1680DCN-T3

SB1680DCN-T3 技术参数

SB1680DCN-T3 数据手册

与SB1680DCN-T3相关器件

与SB1680DCN-T3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？