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SB160-B PDF预览

SB160-B

更新时间： 2024-10-01 04:05:51
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 整流二极管瞄准线
页数 文件大小 规格书
3页 82K
描述
1.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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SB160-B 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-41
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.08
Is Samacsys：N其他特性：LOW POWER LOSS, FREE WHEELING DIODE
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.7 VJEDEC-95代码：DO-41
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：40 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：60 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Bright Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

SB160-B 数据手册

 浏览型号SB160-B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SB160-B的Datasheet PDF文件第3页 
SPICE MODELS: SB120 SB130 SB140 SB150 SB160  
SB120 - SB160  
1.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
Features  
·
·
·
·
·
·
·
Schottky Barrier Chip  
Guard Ring Die Construction for Transient Protection  
Low Power Loss, High Efficiency  
High Surge Capability  
A
B
A
High Current Capability and Low Forward Voltage Drop  
Surge Overload Rating to 40A Peak  
For Use in Low Voltage, High Frequency Inverters, Free  
Wheeling, and Polarity Protection Applications  
C
·
Lead Free Finish, RoHS Compliant (Note 3)  
D
Mechanical Data  
·
·
Case: DO-41 Plastic  
DO-41 Plastic  
Min  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
Dim  
A
Max  
¾
25.40  
4.06  
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
B
5.21  
0.864  
2.72  
Terminals: Finish - Bright Tin. Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
C
0.71  
·
·
·
·
·
Polarity: Cathode Band  
D
2.00  
Mounting Position: Any  
All Dimensions in mm  
Ordering Information: See Last Page  
Marking: Type Number  
Weight: 0.3 grams (approximate)  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Characteristic  
Symbol  
SB120  
20  
SB130  
30  
SB140  
SB150  
50  
SB160  
60  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
40  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
14  
21  
28  
35  
42  
V
A
Average Rectified Output Current  
(Note 1)  
1.0  
(See Figure 1)  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms  
single half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
VFM  
IRM  
40  
A
Forward Voltage (Note 2)  
@ IF = 1.0A  
0.50  
10  
0.70  
5.0  
V
0.5  
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage (Note 2)  
@ TA 25°C  
=
mA  
@ TA = 100°C  
RqJL  
RqJA  
Tj  
Typical Thermal Resistance Junction to Lead (Note 1)  
Typical Thermal Resistance Junction to Ambient  
Operating Temperature Range  
15  
50  
°C/W  
°C/W  
-65 to +125  
-65 to +150  
°C  
TSTG  
Storage Temperature Range  
-65 to +150  
Notes: 1. Measured at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.  
2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.  
3. RoHS revision 13.2.2003. Glass and High Temperature Solder Exemptions Applied, see EU Directive Annex Notes 5 and 7.  
DS23022 Rev. 5 - 2  
1 of 3  
SB120-SB160  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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SB160-B 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MBR160G ONSEMI

功能相似

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STPS1L60RL STMICROELECTRONICS

功能相似

 POWER SCHOTTKY RECTIFIER

与SB160-B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SB160B-G COMCHIP

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SB160E GULFSEMI

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SB160-E3/54 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 60V V(RRM), Silicon, DO-204AL, ROHS COMPLIANT, P
SB160-E3/73 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 60V V(RRM), Silicon, DO-204AL, ROHS COMPLIANT, P
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 		暂无描述
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 		Rectifier Diode,

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