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SB1150

更新时间： 2024-09-26 12:57:15
品牌 Logo 应用领域
森美特 - SUNMATE 二极管瞄准线
页数 文件大小 规格书
2页 268K
描述
1.0A Plug-in Schottky diode 150V DO-41 series

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SB1150 数据手册

 浏览型号SB1150的Datasheet PDF文件第2页 
SB1150 - SB1200  
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER DIODES  
VOLTAGE RANGE: 150 - 200V  
CURRENT: 1.0 A  
Features  
!
!
Schottky Barrier Chip  
Guard Ring Die Construction for  
Transient Protection  
!
!
!
!
High Current Capability  
A
B
A
Low Power Loss, High Efficiency  
High Surge Current Capability  
For Use in Low Voltage, High Frequency  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ
Inverters, Free Wheeling, and Polarity  
C
Protection Applications  
D
Mechanical Data  
!
!
Case: DO-41, Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: Cathode Band  
Weight: 0.34 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
DO-41  
Min  
Dim  
A
Max  
25.40  
4.06  
¾
!
!
!
!
B
5.21  
0.864  
2.72  
C
0.71  
Marking: Type Number  
D
2.00  
All Dimensions in mm  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
@TA=25°C unless otherwise specified  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%.  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
SB1150  
SB1200  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
V
V
V
150  
105  
150  
200  
140  
200  
VRRM  
VRMS  
VDC  
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified current  
0.375”(9.5mm) lead length(see fig.1)  
Peak forward surge current  
I(AV)  
1.0  
A
A
IFSM  
40.0  
8.3ms single half sine-wave superimposed on  
rated load (JEDEC Method)  
VF  
IR  
Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A  
0.95  
0.85  
Maximum DC reverse current  
at rated DC blocking voltage  
TA=25 C  
0.2  
2.0  
mA  
TA=100 C  
Typical junction capacitance (NOTE 1)  
CJ  
pF  
C/W  
C
80  
Typical thermal resistance (NOTE 2)  
Operating junction temperature range  
RθJA  
50.0  
-65 to +150  
TJ,  
Storage temperature range  
C
TSTG  
-65 to +150  
Note:1.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
2.Thermal resistance from junction to ambient at 0.375”(9.5mm)lead length,P.C.B. mounted  
1 of 2  
www.sunmate.tw  
12

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与SB1150相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SB1150H SIRECT

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 		Power Schottky Rectifier - 1Amp 150~200Volt
SB1150-LF WTE

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 150V V(RRM), Silicon, DO-41,
SB1150S CZSTARSEA

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 		A-405
SB1150-TB WTE

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 150V V(RRM), Silicon, DO-41,
SB11P-HVQ-15 JST

获取价格

 		具有0.64mm方形接线柱的2.5sb头可用于将任何2.5mm插座连接到PC板。它们还可用
SB11P-HVQ-16 JST

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 		具有0.64mm方形接线柱的2.5sb头可用于将任何2.5mm插座连接到PC板。它们还可用
SB11P-HVQ-22 JST

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 		具有0.64mm方形接线柱的2.5sb头可用于将任何2.5mm插座连接到PC板。它们还可用
SB11P-HVQ-23 JST

获取价格

 		具有0.64mm方形接线柱的2.5sb头可用于将任何2.5mm插座连接到PC板。它们还可用
SB11P-HVQ-24 JST

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 		具有0.64mm方形接线柱的2.5sb头可用于将任何2.5mm插座连接到PC板。它们还可用
SB11P-HVQ-27 JST

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 		具有0.64mm方形接线柱的2.5sb头可用于将任何2.5mm插座连接到PC板。它们还可用

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