Datasheet > SA170(C)A

SA170(C)A

更新时间： 2024-01-31 20:30:22

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
页数	文件大小	规格书
5页	59K
描述
DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SA170(C)A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	O-XALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.12
最大击穿电压：	231 V	最小击穿电压：	189 V
击穿电压标称值：	210 V	外壳连接：	ISOLATED
最大钳位电压：	304 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	O-XALF-W2	最大非重复峰值反向功率耗散：	500 W
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	1 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	170 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

SA170(C)A 数据手册

SA5.0(C)A - SA170(C)A

Features

1.0 min (25.4)

• Glass passivated junction.

• 500W Peak Pulse Power capability on

10/1000 µs waveform.

Dimensions in

inches (mm)

• Excellent clamping capability.

• Low incremental surge resistance.

0.300 (7.62)

0.230 (5.84)

• Fast response time; typically less

than 1.0 ps from 0 volts to BV for

unidirectional and 5.0 ns for

bidirectional.

DO-15

0.140 (3.56)

0.104 (2.64)

COLOR BAND DENOTES CATHODE

EXCEPT BIPOLAR

0.034 (0.86)

0.028 (0.71)

• Typical I_Rless than 1.0 µA above 10V.

DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS

- Bidirectional types use CA suffix.

- Electrical Characteristics apply in both directions.

500 Watt Transient Voltage Suppressors

Absolute Maximum Ratings*

T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

P_PPM

I_PPM

minimum 500

see table

1.0

Peak Pulse Power Dissipation on 10/1000 µs waveform

Peak Pulse Current on 10/1000 µs waveform

P_M(AV)

Steady State Power Dissipation

.375 " lead length @ T_A= 75°C

Peak Forward Surge Current

i_f(surge)

superimposed on rated load (JEDEC method) ^{(Note 1)}

Storage Temperature Range

-65 to +175

°C

T_stg

T_J

Operating Junction Temperature

-65 to +175

°C

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

Note 1: Measured on 8.3 ms single half-sine wave or equivalent square wave; Duty cycle = 4 pulses per minute maximum.

SA5.0(C)A - SA170(C)A, Rev. A

1998 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4 5

下载PDF

与SA170(C)A相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
SA170.TR	SEMTECH	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-15	获取价格
SA170/51	VISHAY	Trans Voltage Suppressor Diode, 170V V(RWM), Unidirectional,	获取价格
SA170/73	VISHAY	Trans Voltage Suppressor Diode, 170V V(RWM), Unidirectional,	获取价格
SA170/TR12	MICROSEMI	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 170V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-	获取价格
SA170/TR8	MICROSEMI	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 170V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-	获取价格
SA170-13	DIODES	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 170V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-	获取价格