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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOD |
| 包装说明： | R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.58 |
| 最小击穿电压： | 26.7 V | 配置： | SEPARATE, 8 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 500 W | 元件数量： | 8 |
| 端子数量： | 8 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | BIDIRECTIONAL |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 24 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | AVALANCHE |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| S8C24-2-G | SENSITRON |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 24V V(RWM), Bidirectional, 8 Element, Silicon, ROHS |
|
| S8C5H30L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
LOW GATE CHARGE StripFET III MOSFET |
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| S8CG | VISHAY |
获取价格 |
Surface-Mount Glass Passivated Rectifier |
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| S8CG-M3/I | VISHAY |
获取价格 |
DIODE GEN PURP 400V 8A DO214AB |
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| S8CJHM3/I | VISHAY |
获取价格 |
DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB |
|
| S8CJ-M3/I | VISHAY |
获取价格 |
DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB |
|
| S8CK-M3/I | VISHAY |
获取价格 |
DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB |
|
| S8CMHM3/I | VISHAY |
获取价格 |
DIODE GEN PURP 1KV 8A DO214AB |
|
| S8CM-M3/I | VISHAY |
获取价格 |
DIODE GEN PURP 1KV 8A DO214AB |
|
| S8D | SUNMATE |
获取价格 |
8.0A patch rectifier diode 200V SMC series |
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