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S5GHE3_A/H

更新时间： 2024-01-03 15:23:29
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 97K
描述
DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AB

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S5GHE3_A/H 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-C2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80Factory Lead Time：12 weeks
风险等级：5.08其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT
应用：GENERAL PURPOSE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.15 VJEDEC-95代码：DO-214AB
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：100 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
参考标准：AEC-Q101最大重复峰值反向电压：400 V
最大反向电流：10 µA最大反向恢复时间：2.5 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

S5GHE3_A/H 数据手册

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S5A, S5B, S5D, S5G, S5J, S5K, S5M  
www.vishay.com  
Vishay General Semiconductor  
Surface-Mount Glass Passivated Rectifier  
FEATURES  
Available  
• Low profile package  
• Ideal for automated placement  
• Glass passivated pellet chip junction  
• Low forward voltage drop  
• Low leakage current  
• High forward surge capability  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020,  
LF maximum peak of 260 °C  
SMC (DO-214AB)  
Cathode  
Anode  
• AEC-Q101 qualified available  
- Automotive ordering code: base P/NHE3 or P/NHM3  
LINKS TO ADDITIONAL RESOURCES  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
3
D
3
D
3D Models  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in general purpose rectification of power supplies,  
inverters, converters and freewheeling diodes for consumer,  
automotive and telecommunication.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
5.0 A  
MECHANICAL DATA  
Case: SMC (DO-214AB)  
50 V, 100 V, 200 V, 400 V, 600 V,  
800 V, 1000 V  
VRRM  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade  
Base P/N-M3 - halogen-free, RoHS-compliant, commercial  
grade  
Base P/NHE3_X - RoHS-compliant and AEC-Q101 qualified  
(“_X” denotes revision code e.g. A, B,.....)  
IFSM  
100 A  
10 μA  
IR  
VF  
1.15 V  
TJ max.  
150 °C  
Package  
SMC (DO-214AB)  
Single  
Circuit configuration  
Terminals: matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
E3, M3, and HE3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test  
Polarity: color band denotes cathode end  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
S5A  
5A  
50  
S5B  
5B  
S5D  
5D  
S5G  
5G  
S5J  
5J  
S5K  
5K  
S5M UNIT  
Device marking code  
5M  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
5.0  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
V
V
V
A
35  
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified current at TL = 75 °C  
50  
100  
1000  
IF(AV)  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
100  
A
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
-55 to +150  
°C  
Revision: 15-Apr-2020  
Document Number: 88931  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
S5GHE3_A/I VISHAY DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AB

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S5GLHE3 MCC Tape&Reel;

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