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S524A40X10-DC

更新时间： 2024-09-30 19:28:03

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三星 - SAMSUNG		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟双倍数据速率光电二极管内存集成电路
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EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDIP8, DIP-8

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S524A40X10-DC 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP8,.3	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.84
最大时钟频率 (fCLK)：	0.4 MHz	数据保留时间-最小值：	100
耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles	I2C控制字节：	1010DDDR
JESD-30 代码：	R-PDIP-T8	长度：	9.2 mm
内存密度：	1024 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	128 words
字数代码：	128	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	128X8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP8,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	SERIAL	电源：	2/5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.08 mm
串行总线类型：	I2C	最大待机电流：	0.000001 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms	写保护：	HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches：	1

S524A40X10-DC 数据手册

S524A40X10/40X20/40X40

1K/2K/4K-bit

Serial EEPROM for Low Power

Data Sheet

OVERVIEW

The S524A40X10/40X20/40X40 serial EEPROM has a 1,024/2,048/4,096-bit (128/256/512-byte) capacity,

supporting the standard I²C™-bus serial interface. It is fabricated using Samsung’s most advanced CMOS

technology. It has been developed for low power and low voltage applications (1.8 V to 5.5 V). Important features

are a hardware-based write protection circuit for the entire memory area and software-based write protection logic

for the lower 128 bytes. Hardware-based write protection is controlled by the state of the write-protect (WP) pin.

The software-based method is one-time programmable and permanent. Using one-page write mode, you can

load up to 16 bytes of data into the EEPROM in a single write operation. Another significant feature of the

S524A40X10/40X20/40X40 is its support for fast mode and standard mode.

FEATURES

I²C-Bus Interface

Operating Characteristics

Two-wire serial interface

Operating voltage

— 1.8 V to 5.5 V

Automatic word address increment

EEPROM

Operating current

— Maximum write current: < 3 mA at 5.5 V

— Maximum read current: < 200 mA at 5.5 V

— Maximum stand-by current: < 5 mA at 5.5 V

Operating temperature range

— – 25°C to + 70°C (commercial)

— – 40°C to + 85°C (industrial)

Operating clock frequencies

— 100 kHz at standard mode

— 400 kHz at fast mode

1K/2K/4K-bit (128/256/512-byte) storage area

16-byte page buffer

Hardware-based write protection for the entire

EEPROM (using the WP pin)

Software-based write protection for the lower

128-byte EEPROM

EEPROM programming voltage generated

on chip

1,000,000 erase/write cycles

100 years data retention

Electrostatic discharge (ESD)

— 5,000 V (HBM)

— 500 V (MM)

Packages

8-pin DIP, SOP, and TSSOP

2-1

12 3 4 5 6 7...18

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