| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.7 |
| 压伸定律： | MU-LAW | 滤波器： | YES |
| 最大增益公差： | 0.2 dB | JESD-30 代码： | R-PDIP-T22 |
| JESD-609代码： | e0 | 线性编码： | NOT AVAILABLE |
| 负电源额定电压： | -5 V | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 22 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | -25 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP22,.4 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 电源： | +-5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Codecs | 标称供电电压： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 电信集成电路类型： | PCM CODEC | 温度等级： | OTHER |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| S350P | VISHAY |
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Silicon NPN Phototransistor |
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| S3510 | TI |
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PC POWER SUPPLY SUPERVISORS |
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| S3510 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier |
|
| S35100 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier |
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| S35100E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
|
| S35120 | MICROSEMI |
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Silicon Power Rectifier |
|
| S35120E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
|
| S3513 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,MOSFET,ARRAY,N-CHANNEL,120V V(BR)DSS,3A I(D),SIP |
|
| S35140 | MICROSEMI |
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Silicon Power Rectifier |
|
| S35140E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, 1400V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
|
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