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S29XS256RABBHW13

更新时间： 2024-02-09 09:49:23

品牌	Logo	应用领域
飞索 - SPANSION		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
72页	2247K
描述
Flash, 16MX16, 80ns, PBGA44, 6.20 X 7.70 MM, LEAD FREE AND HALOGEN FREE, FPBGA-44

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S29XS256RABBHW13 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	BGA
包装说明：	VFBGA,	针数：	44
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.75
最长访问时间：	80 ns	其他特性：	BOTTOM BOOT BLOCK, SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
启动块：	BOTTOM	JESD-30 代码：	R-PBGA-B44
长度：	7.7 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	16MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1 mm
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	6.2 mm
Base Number Matches：	1

S29VS/XS-R MirrorBit^®Flash Family

S29VS256R, S29VS128R, S29XS256R, S29XS128R

256/128 Megabit (32/16 Megabyte)

1.8 V Burst 16-bit Data Bus, Simultaneous Read/Write,

Multiplexed MirrorBit Flash Memory

S29VS/XS-R MirrorBit^®Flash Family Cover Sheet

Data Sheet (Advance Information)

Notice to Readers: This document states the current technical specifications regarding the Spansion

product(s) described herein. Each product described herein may be designated as Advance Information,

Preliminary, or Full Production. See Notice On Data Sheet Designations for definitions.

Publication Number S29VS_XS-R_00

Revision 08

Issue Date July 30, 2012

12 3 4 5 6 7...72

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
S29XS256RABBHW300	CYPRESS	Flash, 16X16, PBGA44, 6.20 X 7.70 MM, LEAD FREE AND HALOGEN FREE, FPBGA-44	获取价格
S-29XX0A	SII	CMOS SERIAL EEPROM	获取价格
S-29XX1A	SII	CMOS SERIAL EEPROM	获取价格
S-29Z330ADFJA	SEIKO	256X16 3-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, SOP-8	获取价格
S-29Z330AFS	SEIKO	256X16 3-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, SSOP-8	获取价格
S-29Z430AFS	SEIKO	512X16 3-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, SSOP-8	获取价格