5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | 11.60 X 8 MM, LEAD FREE, FBGA-84 |
| 针数： | 84 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 3A991.B.1.A | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.45 | 最长访问时间： | 80 ns |
| 其他特性： | TOP BOOT BLOCK, SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE | 启动块： | TOP |
| 命令用户界面： | YES | 通用闪存接口： | YES |
| 数据轮询： | YES | JESD-30 代码： | R-PBGA-B84 |
| 长度： | 11.6 mm | 内存密度： | 67108864 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 部门数/规模： | 4,127 |
| 端子数量： | 84 | 字数： | 4194304 words |
| 字数代码： | 4000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -25 °C |
| 组织： | 4MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | VFBGA | 封装等效代码： | BGA84,10X12,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 1.8 V |
| 编程电压： | 1.8 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 就绪/忙碌： | YES | 座面最大高度： | 1 mm |
| 部门规模： | 8K,32K | 最大待机电流： | 0.00007 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.066 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.95 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 切换位： | YES |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 8 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| S29WS064R0SBHI000 | CYPRESS |
获取价格 |
Flash, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, FPBGA-84 |
|
| S29WS064R0SBHI003 | CYPRESS |
获取价格 |
Flash, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, FPBGA-84 |
|
| S29WS064RABBHI010 | CYPRESS |
获取价格 |
Flash, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, FPBGA-84 |
|
| S29WS064RABBHI013 | CYPRESS |
获取价格 |
Flash, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, FPBGA-84 |
|
| S29WS064RABBHW000 | CYPRESS |
获取价格 |
Flash, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM, LEAD FREE, FBGA-84 |
|
| S29WS064RABBHW010 | CYPRESS |
获取价格 |
Flash, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM, LEAD FREE, FBGA-84 |
|
| S29WS128J | SPANSION |
获取价格 |
128/64 Megabit (8/4 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Fla |
|
| S29WS128J0PBAI010 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 8MX16, 55ns, PBGA84, 8 X 11.60 MM, FBGA-84 |
|
| S29WS128J0PBAI02 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 8MX16, 55ns, PBGA84, 8 X 11.60 MM, FBGA-84 |
|
| S29WS128J0PBAI10 | SPANSION |
获取价格 |
128/64 Megabit (8/4 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Fla |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
