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S29PL127J65BAI013

更新时间： 2024-01-03 08:15:17

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
99页	3059K
描述
Flash, 8MX16, 65ns, PBGA80, 11 X 8 MM, LEAD FREE COMPLIANT, FBGA-80

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S29PL127J65BAI013 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	VFBGA, BGA80,8X12,32	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.21	最长访问时间：	65 ns
启动块：	BOTTOM/TOP	命令用户界面：	YES
通用闪存接口：	YES	数据轮询：	YES
JESD-30 代码：	R-PBGA-B80	长度：	11 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	16,254	端子数量：	80
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	8MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装等效代码：	BGA80,8X12,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	页面大小：	8 words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3/3.3 V	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1 mm	部门规模：	4K,32K
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.07 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

S29PL-J

128/128/64/32 Megabit (8/8/4/2M x 16-Bit)

CMOS 3.0 Volt-Only, Simultaneous-Read/Write

Flash Memory with Enhanced VersatileIO™ Control

S29PL-J Cover Sheet

Data Sheet

Notice to Readers: This document states the current technical specifications regarding the Spansion

product(s) described herein. Each product described herein may be designated as Advance Information,

Preliminary, or Full Production. See Notice On Data Sheet Designations for definitions.

Publication Number S29PL-J_00

Revision A

Amendment 15

Issue Date March 14, 2012

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