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S29PL127J60TFW130

更新时间： 2024-01-05 03:49:48

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		光电二极管
页数	文件大小	规格书
101页	7830K
描述
Flash, 8MX16, 60ns, PDSO56, TSOP-56

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S29PL127J60TFW130 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TSSOP, TSSOP56,.8,20	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.26	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	TOP AND BOTTOM BOOT BLOCK	启动块：	BOTTOM/TOP
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PDSO-G56
JESD-609代码：	e3	长度：	18.4 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	部门数/规模：	16,254
端子数量：	56	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	8MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP56,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小：	8 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3/3.3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	4K,32K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

S29PL127J60TFW130 数据手册

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S29PL-J

1. General Description

The PL127J/PL129J/PL064J/PL032J is a 128/128/64/32 Mbit, 3.0 volt-only Page Mode and Simultaneous Read/Write Flash

memory device organized as 8/8/4/2 Mwords. The devices are offered in the following packages:

– 11 mm  8 mm, 80-ball Fine-pitch BGA standalone (PL127J)

^{– 8 mm} 11.6 mm, 64-ball Fine-pitch BGA multi-chip compatible (PL127J)

^{– 8.15 mm} 6.15 mm, 48-ball Fine-pitch BGA standalone (PL064J/PL032J)

– 7 mm  9 mm, 56-ball Fine-pitch BGA multi-chip compatible (PL064J and PL032J)

^{– 20 mm} 14 mm, 56-pin TSOP (PL127J)

The word-wide data (x16) appears on DQ15-DQ0. This device can be programmed in-system or in standard EPROM programmers.

A 12.0 V V_PPis not required for write or erase operations.

2. Simultaneous Read/Write Operation with Zero Latency

The Simultaneous Read/Write architecture provides simultaneous operation by dividing the memory space into 4 banks, which

can be considered to be four separate memory arrays as far as certain operations are concerned. The device can improve overall

system performance by allowing a host system to program or erase in one bank, then immediately and simultaneously read from

another bank with zero latency (with two simultaneous operations operating at any one time). This releases the system from waiting

for the completion of a program or erase operation, greatly improving system performance.

The device can be organized in both top and bottom sector configurations. The banks are organized as follows:

Bank

PL127J Sectors

^{16 Mbit (4 Kw} 8 and 32 Kw  31)

^{48 Mbit (32 Kw} 96)

^{16 Mbit (4 Kw x 8 and 32 Kw} 31)

PL064J Sectors

8 Mbit (4 Kw  8 and 32 Kw  15)

24 Mbit (32 Kw  48)

8 Mbit (4 Kw  8 and 32 Kw  15)

PL032J Sectors

4 Mbit (4 Kw  8 and 32 Kw  7)

12 Mbit (32 Kw  24)

4 Mbit (4 Kw  8 and 32 Kw  7)

Bank

PL129J Sectors

CE# Control

CE1#

16 Mbit (4 Kw  8 and 32 Kw  31)

^{48 Mbit (32 Kw} 96)

CE1#

^{48 Mbit (32 Kw} 96)

CE2#

^{16 Mbit (4 Kw} 8 and 32 Kw  31)

CE2#

Document Number: 002-00615 Rev. *B

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S29PL127J60TFW131	CYPRESS	Flash, 8MX16, 60ns, PDSO56, TSOP-56	获取价格
S29PL127J60TFW132	SPANSION	Flash, 8MX16, 60ns, PDSO56, 20 X 14 MM, LEAD FREE, MO-142EC, TSOP-56	获取价格
S29PL127J60TFW132	CYPRESS	Flash, 8MX16, 60ns, PDSO56, TSOP-56	获取价格
S29PL127J60TFW133	CYPRESS	Flash, 8MX16, 60ns, PDSO56, TSOP-56	获取价格
S29PL127J65	SPANSION	CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Read/Write Flash Memory with Enhanced VersatileIO Control	获取价格

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