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S29CD016J0PQAM133

更新时间： 2024-02-25 19:13:29

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
89页	1244K
描述
Flash, 512KX32, 54ns, PQFP80, QFP-80

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S29CD016J0PQAM133 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	QFP
包装说明：	QFP, QFP80,.7X.9,32	针数：	80
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.02
最长访问时间：	54 ns	其他特性：	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE; BOTTOM BOOT BLOCK
启动块：	BOTTOM	命令用户界面：	YES
通用闪存接口：	YES	数据轮询：	YES
JESD-30 代码：	R-PQFP-G80	JESD-609代码：	e0
长度：	20 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	32
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
部门数/规模：	16,30	端子数量：	80
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	512KX32
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QFP
封装等效代码：	QFP80,.7X.9,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	1.8/2.6,2.6 V
编程电压：	2.7 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	3.35 mm
部门规模：	2K,16K	最大待机电流：	0.00006 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.75 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.6 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

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S29CD032J

S29CD016J

S29CL032J

S29CL016J

3. Block Diagram

V_CC

V_SS

DQ_max–DQ0

Erase Voltage

Generator

Input/Output

Buffers

V_IO

WE#

RESET#

State

Control

ACC

WP#

Command

PGM Voltage

Generator

Data

Chip Enable

CE#

OE#

Output Enable

Y-Decoder

X-Decoder

Y-Gating

V_CC

Detector

Timer

Cell Matrix

ADV#

CLK

Burst

State

Control

Burst

Address

Counter

IND/

WAIT#

Amax-A0

Note

Address bus is A19–A0 for 32 Mb device, A18–A0 for 16 Mb device. Data bus is D31–DQ0.

Document Number: 002-00948 Rev. *B

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