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S29CD016J0JQFI033

更新时间: 2024-02-16 11:50:16
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飞索 - SPANSION 闪存内存集成电路
页数 文件大小 规格书
76页 1861K
描述
32/16 Megabit CMOS 2.6 Volt or 3.3 Volt-only Simultaneous Read/Write, Dual Boot, Burst Mode Flash Memory with VersatileI/O

S29CD016J0JQFI033 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:QFP, QFP80,.7X.9,32Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.04Is Samacsys:N
最长访问时间:54 ns其他特性:SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE; BOTTOM BOOT BLOCK
启动块:BOTTOM命令用户界面:YES
通用闪存接口:YES数据轮询:YES
JESD-30 代码:R-PQFP-G80JESD-609代码:e3
长度:20 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:32
湿度敏感等级:3功能数量:1
部门数/规模:16,30端子数量:80
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:512KX32
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:QFP
封装等效代码:QFP80,.7X.9,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260电源:1.8/2.6,2.6 V
编程电压:2.7 V认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES座面最大高度:3.35 mm
部门规模:2K,16K最大待机电流:0.00006 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.09 mA
最大供电电压 (Vsup):2.75 V最小供电电压 (Vsup):2.5 V
标称供电电压 (Vsup):2.6 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:40切换位:YES
类型:NOR TYPE宽度:14 mm
Base Number Matches:1

S29CD016J0JQFI033 数据手册

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D a t a S h e e t ( P r e l i m i n a r y )  
74  
S29CD-J & S29CL-J Flash Family  
S29CD-J_CL-J_00_B1 September 27, 2006  

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