RT2P12M

更新时间： 2024-11-20 09:43:23

品牌	Logo	应用领域
谏早电子 - ISAHAYA		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	40K
描述
RT2P12M

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

RT2P12M 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

RT2P12M 数据手册

RT2P12M

エミッタコモン２素子内蔵

複合抵抗入りトランジスタ

概要

外形図

単位：ｍｍ

2.1

ꢀRT2P12M は、抵抗入りトランジスタ RT1P436を２素子内蔵し

た複合抵抗入りトランジスタです。このトランジスタのご使用によ

りセットの小型化、部品及び工数の大幅な削減が可能となります。

1.25

①

⑤

②

③

特長

●スーパーミニパッケージ（５ピン）に RT1P436を２素子内蔵

④

●セットの小型化、高密度実装が可能

用途

インバータ回路、スイッチング回路、インターフェイス回路、ドライバ回路

電極接続

⑤

④

①：ベース１

②：エミッタ（共通）

③：ベース２

④：コレクタ２

⑤：コレクタ１

RTr1

RTr2

JEITA：SC-88A

JEDEC：－

①

②

③

最大定格（Ta=25℃）（RTr1、RTr2 共通）

記号

V_CBO

項

目

定

格

-50

値

単位

マーク図

コレクタ・ベース間電圧

エミッタ・ベース間電圧

コレクタ・エミッタ間電圧

コレクタ電流

⑤

④

V_EBO

V_CEO

I _C

-6

-50

-100

-200

150

℃

I _CM

P_C

せん頭コレクタ電流

コレクタ損失（トータル）

接合部温度

①

② ③

T_j

＋150

T_stg

保存温度

-55～＋150

12 3

中文翻译

下载PDF

与RT2P12M相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RT2P14M	ISAHAYA	获取价格	Transistor
RT2P16M	ISAHAYA	获取价格	Transistor
RT2P20M	ISAHAYA	获取价格	COMPOSITE TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR SWITCHING APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE
RT2P21M	ISAHAYA	获取价格	COMPOSITE TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR SWITCHING APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE
RT2P24M	ISAHAYA	获取价格	Transistor
RT2P40S89	RECTRON	获取价格	Package / Case : SOT-89;Mounting Style : SMD/SMT;Power Rating : 0.5 W;Transistor Polarity
RT2S-C-ID16-12	ETC	获取价格
RT2S-C-ID16-24	ETC	获取价格
RT2S-C-OD16-12	ETC	获取价格
RT2S-C-OD16-24	ETC	获取价格