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RSU002P03T106

更新时间： 2024-02-12 00:21:28

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罗姆 - ROHM		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管驱动
页数	文件大小	规格书
5页	62K
描述
4V Drive Pch MOSFET

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RSU002P03T106 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	7.92
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.25 A
最大漏极电流 (ID)：	0.25 A	最大漏源导通电阻：	1.4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e1	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

RSU002P03T106 数据手册

RSU002P03

Transistors

4V Drive Pch MOSFET

RSU002P03

zStructure

zDimensions (Unit : mm)

Silicon P-channel MOSFET

UMT3

2.0

0.9

0.7

0.2

0.3

zFeatures

( )

1) Low On-resistance

2) 4V drive

( )

0.650.65

1.3

0.15

(1) Source

(2) Gate

Each lead has same dimensions

zApplications

Switching

Abbreviated symbol : WP

(3) Drain

zPackaging specifications

zInner circuit

Package

Taping

T106

(3)

Type

Code

Basic ordering unit (pieces)

3000

RSU002P03

(2)

∗2

∗1

(1) Source

(1)

(2) Gate

(3) Drain

∗1 ESD PROTECTION DIODE

∗2 BODY DIODE

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Limits

−30

Unit

0.25

Continuous

Drain current

Pulsed

∗1

0.5

I_DP

P_D

∗2

0.2

Total power dissipation

Channel temperature

°C

150

Tch

Tstg

−55 to +150

Range of storage temperature

∗1 Pw≤10µs, Duty cycle≤1%

∗2 Each terminal mounted on a recommended land

zThermal resistance

Parameter

Symbol

Limits

625

Unit

∗

Channel to ambient

∗ Each terminal mounted on a recommended land

Rth(ch-a)

°C/W

Rev.A

1/4

12 3 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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