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RS1D-E3

更新时间： 2024-02-05 17:26:05

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威世 - VISHAY		二极管
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4页	85K
描述
Surface Mount Fast Switching Rectifier

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RS1D-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.3
配置：	SINGLE	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.3 V	最大非重复峰值正向电流：	30 A
元件数量：	1	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	1 A	最大重复峰值反向电压：	200 V
最大反向恢复时间：	0.15 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

RS1D-E3 数据手册

RS1A, RS1B, RS1D, RS1G, RS1J, RS1K

www.vishay.com

Vishay General Semiconductor

Surface Mount Fast Switching Rectifier

FEATURES

• Low profile package

• Ideal for automated placement

• Glass passivated chip junction

• Fast switching for high efficiency

• High forward surge capability

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of

260 °C

• AEC-Q101 qualified

DO-214AC (SMA)

• Material categorization: For definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS

For use in fast switching rectification of power supply,

inverters, converters, and freewheeling diodes for

consumer, automotive and telecommunication.

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

1.0 A

MECHANICAL DATA

50 V, 100 V, 200 V, 400 V, 600 V,

800 V

V_RRM

Case: DO-214AC (SMA)

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

I_FSM

t_rr

30 A

150 ns, 250 ns, 500 ns

1.3 V

Base P/N-E3

RoHS-compliant, commercial grade

Base P/NHE3 - RoHS-compliant, AEC-Q101 qualified

Base P/NHE3_X - RoHS-compliant and AEC-Q101 qualified

(“_X” denotes revision code e.g. A, B, .....)

V_F

T_Jmax.

Package

Diode variation

150 °C

DO-214AC (SMA)

Single die

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

E3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test, HE3 suffix

meets JESD 201 class 2 whisker test

Polarity: Color band denotes cathode end

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL RS1A

RS1B

RS1D

RS1G

RS1J

RS1K

UNIT

Device marking code

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

V_RRM

V_RMS

V_DC

100

200

140

200

400

280

400

600

420

600

800

500

800

Maximum DC blocking voltage

Maximum average forward rectified current at T_L= 90 °C

100

I_F(AV)

1.0

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

- 55 to + 150

°C

Revision: 21-Aug-13

Document Number: 88707

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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