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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | 2-3N1A, 6 PIN |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.48 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | BUILT-IN RESISTOR RATIO IS 1 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 基于收集器的最大容量： | 6 pF | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN AND PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | BIP General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz | VCEsat-Max： | 0.3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RN4601(TE85R) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SM6, 2-3N1A, |
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| RN4601TE85R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General |
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| RN4602 | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PC |
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| RN4602 | AZDISPLAYS |
获取价格 |
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit |
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| RN4602(TE85L) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SM6, 2-3N1A, |
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| RN4602TE85L | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General |
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| RN4602TE85N | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General |
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| RN4603 | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PC |
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| RN4603(TE85L) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SM6, 2-3N1A, |
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| RN4603(TE85L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),TSOP |
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