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RN4606(TE85R)

更新时间： 2024-09-21 15:49:51
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 218K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SM6, 2-3N1A, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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RN4606(TE85R) 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.77其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.1
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：80
JESD-30 代码：R-PDSO-G6元件数量：2
端子数量：6封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN AND PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
Base Number Matches：1

RN4606(TE85R) 数据手册

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RN4606  
TOSHIBA Transistor  
Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)  
RN4606  
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit  
and Driver Circuit Applications  
Unit in mm  
z Including two devices in SM6 (super mini type with 6 leads)  
z With built-in bias resistors  
z Simplify circuit design  
z Reduce a quantity of parts and manufacturing process  
Equivalent Circuit and Bias Resister Values  
R1: 4.7kΩ  
R2: 47kΩ  
(Q1, Q2 Common)  
JEDEC  
―
―
JEITA  
Q1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
TOSHIBA  
2-3N1A  
Weight: 0.015g (typ.)  
Characteristic  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
−50  
−50  
−5  
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
I
−100  
mA  
C
Q2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
50  
50  
5
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
I
100  
mA  
C
1
2007-11-01  
12345

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与RN4606(TE85R)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RN4606_07 TOSHIBA

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 		Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN4606TE85L TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General
RN4606TE85N TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General
RN4606TE85R TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General
RN4607 TOSHIBA

获取价格

 		TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PC
RN4607(TE85R) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SM6, 2-3N1A,
RN4607TE85N TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General
RN4607TE85R TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General
RN4608 TOSHIBA

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 		TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PC
RN4608TE85L TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General

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