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RN2962FE

更新时间: 2024-01-12 16:03:13
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东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
8页 559K
描述
Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor)

RN2962FE 技术参数

生命周期:Lifetime Buy包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数:6Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.5最大集电极电流 (IC):0.05 A
集电极-发射极最大电压:20 V配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):60JESD-30 代码:R-PDSO-F6
JESD-609代码:e0元件数量:2
端子数量:6最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.05 W认证状态:Not Qualified
子类别:BIP General Purpose Small Signal表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD端子形式:FLAT
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

RN2962FE 数据手册

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2004-07-01  

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