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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.51 |
| 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 基于收集器的最大容量： | 6 pF | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | BIP General Purpose Small Signal | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.3 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RN1414(TE85L) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, S-MINI, SC-59, TO-236MO |
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| RN1414(TE85L2) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, S-MINI, SC-59, TO-236MO |
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| RN1414_07 | TOSHIBA |
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Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit An |
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| RN1415 | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
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| RN1415(TE85L,F) | TOSHIBA |
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TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI |
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| RN1415(TE85R) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, S-MINI, SC-59, TO-236MO |
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| RN1415(TE85R2) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, S-MINI, SC-59, TO-236MO |
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| RN1416 | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
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| RN1416(TE85L) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, S-MINI, SC-59, TO-236MO |
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| RN1416(TE85R2) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, S-MINI, SC-59, TO-236MO |
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