Datasheet > RJH65T47DPQ-T0

RJH65T47DPQ-T0

更新时间： 2022-02-26 14:02:30

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		/
页数	文件大小	规格书
10页	348K
描述
Power Factor Correction circuit

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

RJH65T47DPQ-T0 数据手册

RJH65T47DPQ-A0

Preliminary

Typical Capacitance vs.

Collector to Emitter Voltage

Dynamic Input Characteristics (Typical)

10000

1000

100

800

600

400

200

V_GE= 0 V Tc = 25

°C

V_CC= 400 V

I_C= 45 A

f = 1 MHz

V_GE

Tc = 25°C

Cies

Coes

Cres

V_CE

200

100 150 200 250 300

120

160

Collector to Emitter Voltage V_CE(V)

Gate Charge Qg (nC)

Reverse Recovery Time vs.

Forward Current (Typical)

Forward Current vs. Forward Voltage (Typical)

100

1000

100

V_CC= 300 V

di_F/dt = 300 A/us

Tc = 150°C

Tc = 25°C

150°C

25°C

V_CE= 0 V

Pulse Test

Forward Current I_F(A)

100

C-E Diode Forward Voltage V_CEF(V)

R07DS1291EJ0101 Rev.1.01

Oct 22, 2015

Page 6 of 9

1...3 4 567 8 9 10

中文翻译

下载PDF

与RJH65T47DPQ-T0相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
RJH6674	NJSEMI	POWER TRANSISTORS	获取价格
RJH6675	NJSEMI	POWER TRANSISTORS	获取价格
RJH6676	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 300V V(BR)CEO \| 15A I(C) \| TO-218AC	获取价格
RJH6677	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 350V V(BR)CEO \| 15A I(C) \| TO-218AC	获取价格
RJH6678	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 400V V(BR)CEO \| 15A I(C) \| TO-218AC	获取价格
RJH6686	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 160V V(BR)CEO \| 25A I(C) \| TO-218AC	获取价格