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RHU002N06FRAT106

更新时间： 2024-09-21 21:10:55
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 1038K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, UMT3, 3 PIN

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RHU002N06FRAT106 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：UMT3, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.69
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：0.2 A最大漏源导通电阻：4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL参考标准：AEC-Q101
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

RHU002N06FRAT106 数据手册

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AEC-Q101 Qualified  
4V Drive Nch MOSFET  
RHU002N06FRA  
Structure  
Dimensions (Unit : mm)  
Silicon N-channel  
MOSFET transistor  
UMT3  
2.0  
0.3  
0.9  
0.2  
0.7  
(
)
3
Features  
1) Low on-resistance.  
2) High ESD.  
3) High-speed switching.  
4) Low-voltage drive (4V).  
5) Drive circuits can be simple.  
6) Parallel use is easy.  
(
)
( )  
1
2
0.650.65  
1.3  
0.15  
(1) Source  
(2) Gate  
Each lead has same dimensions  
Abbreviated symbol : KP  
(3) Drain  
Applications  
Switching  
Packaging specifications  
Equivalent circuit  
(3)  
Package  
Taping  
T106  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
Type  
3000  
RHU002N06FRA  
(2)  
∗2  
∗1  
(1) Source  
(2) Gate  
(3) Drain  
Absolute maximum ratings (Ta=25C)  
(1)  
∗1 ESD PROTECTION DIODE  
∗2 BODY DIODE  
Parameter  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
Symbol  
Limits  
60  
Unit  
V
∗
A protection diode has been built in between the  
VDSS  
GSS  
gate and the source to protect against static  
electricity when the product is in use.  
Use the protection circuit when fixed voltages are  
exceeded.  
V
20  
V
Continuous  
I
D
200  
800  
200  
800  
200  
150  
mA  
mA  
mA  
mA  
mW  
°C  
Drain current  
∗1  
Pulsed  
IDP  
Continuous  
Pulsed  
IS  
Source current  
(Body diode)  
∗1  
∗2  
I
SP  
P
D
Total power dissipation  
Channel temperature  
Storage temperature  
Tch  
+
Tstg  
°C  
−55 to 150  
∗1 Pw≤10μs, Duty cycle≤1%  
∗2 Each terminal mounted on a recommended  
Thermal resistance  
Parameter  
Symbol  
Limits  
625  
Unit  
∗
Channel to ambient  
Rth (ch-a)  
°C / W  
∗
With each pin mounted on the recommended land.  
www.rohm.com  
2012.05 - Rev.C  
1/3  
c
○ 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
1234

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与RHU002N06FRAT106相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RHU003N03 ROHM

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 		4V Drive Nch MOS FET
RHU003N03T106 ROHM

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
RHU-217-5AT(972510D&972510DA) ETC

获取价格

 		LUFTFEUCHTIGKEITSESENSOR
RHV SANKEN

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.6A, Silicon
RHV1 SANKEN

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.6A, Silicon
RHV2-0505D/R20 RECOM

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