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RH4781AE3

更新时间: 2024-09-26 20:58:23
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美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 103K
描述
Zener Diode, 8.5V V(Z), 5%, 0.25W, Silicon, DO-7

RH4781AE3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-LALF-W2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.84其他特性:RADIATION HARDENED
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-7JESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:0.25 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:8.5 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:MATTE TIN端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
电压温度Coeff-Max:0.425 mV/ °C最大电压容差:5%
Base Number Matches:1

RH4781AE3 数据手册

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