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RH1CV1

更新时间： 2024-01-04 06:17:01

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三垦 - SANKEN		二极管
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3页	146K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.6A, Silicon

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RH1CV1 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.56
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	0.6 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
最大反向恢复时间：	4 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

RH1CV1 数据手册

SANKEN ELECTRIC CO., LTD.

RH1C

１ Scope

The present specifications shall apply to a RH1C.

２ Outline

Type

Silicon Diode

Resin Molded

Structure

Flammability:UL94-V0(Equivalent)

Applications

High Frequency Rectification, etc.

３ Absolute maximum ratings

No.

Item

Symbol Unit

Rating

1000

Conditions

Transient Peak Reverse Voltage

Peak Reverse Voltage

V_RSM

V_RM

I_{F (AV)}

I_FSM

I²t

1000

Refer to derating curve in

Section 6

Average Forward Current

Peak Surge Forward Current

I²t Limiting Value

0.6

10ms.

Half sine wave, one shot

A²s

°C

6.125

1 ms ≤ t ≤ 10 ms

Junction Temperature

T_j

-40 to +150

Storage Temperature

T_stg

４ Electrical characteristics (Ta=25°C ，unless otherwise specified)

No.

Item

ymbol

Unit

Value

Conditions

Forward Voltage Drop

V_F

I_R

1.3 max.

5 max.

I_F=0.6A

V_R=V_RM

Reverse Leakage Current

µA

Reverse Leakage Current Under

High Temperature

µA

70 max.

V_R=V_RM, T_a=100°C

H･I_R

I_F=I_RP=10mA

90% Recovery point, T_j=25°C

I_F=100mA, I_R=200mA

75% Recovery point ,T_j=25°C

Trr-1

Trr-2

µs

4.0 max.

1.3 max.

Reverse Recovery Time

Thermal Resistance

Rth (j-l) °C /W

15 max.

Between Junction and Lead

1／3

130828

61426-01

12 3

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