Datasheet > RGF1BHE3/17

RGF1BHE3/17

更新时间： 2024-01-14 13:45:31

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	35K
描述
DIODE 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA, PLASTIC, GF1, 2 PIN, Signal Diode

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

RGF1BHE3/17 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-214BA
包装说明：	R-PDSO-C2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.59
其他特性：	PATENTED DEVICE, METALLURGICALLY BONDED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-214BA	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	100 V	最大反向恢复时间：	0.15 µs
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

RGF1BHE3/17 数据手册

RGF1A thru RGF1M

Vishay Semiconductors

formerly General Semiconductor

Ratings and

Characteristic Curves (T_A= 25°C unless otherwise noted)

Fig. 1 – Forward Current

Derating Curve

Fig. 2 – Maximum Non-Repetitive

Peak Forward Surge Current

T_J= T_Jmax.

8.3ms Single Half Sine-Wave

(JEDEC Method)

P.C.B. Mounted on

0.2 x 0.2" (5.0 x 5.0mm)

Copper Pad Areas

0.5

60 H_Z

Resistive or

Inductive Load

100

110

120

130

140

150

160

175

Lead Temperature (°C)

Number of Cycles at 60 H_Z

Fig. 3 – Typical Instantaneous

Forward Characteristics

Fig. 4 – Typical Reverse

Characteristics

T_J= 125°C

T_J= 25°C

Pulse Width = 300µs

1% Duty Cycle

T_J= 100°C

0.1

T_J= 25°C

0.01

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

100

Instantaneous Forward Voltage (V)

Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)

Fig. 6 – Typical Transient

Thermal Impedance

Fig. 5 – Typical Junction

Capacitance

100

T = 25°C

Mounted on

0.2 x 0.2" (5. x 7mm)

Copper Pad Areas

f = 1.0MH_Z

Vsig = 50mVp-p

0.1

0.01

100

0.1

100

Reverse Voltage (V)

t, Pulse Duration (sec.)

www.vishay.com

Document Number 88697

08-Feb-02

下载PDF

与RGF1BHE3/17相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
RGF1BHE3/5CA	VISHAY	DIODE 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GF1, 2 PIN, Si	获取价格
RGF1B-HE3/5CA	VISHAY	DIODE 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GF1, 2 PIN, Si	获取价格
RGF1BHE3/67A	VISHAY	SWITING 100V 1A 2PIN DO-214BA - Tape and Reel	获取价格
RGF1B-HE3/67A	VISHAY	DIODE 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GF1, 2 PIN, Si	获取价格
RGF1D	FCI	1.0 Amp MEGARECTIFIERS	获取价格
RGF1D	TAITRON	1.0A Sintered Glass Passivated Fast Recovery Rectifier	获取价格