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RE1C002UNTCL

更新时间： 2024-01-09 22:03:39

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	2568K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, EMT3F, SC-89, 3 PIN

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RE1C002UNTCL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.63
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	0.2 A	最大漏源导通电阻：	1.4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

RE1C002UNTCL 数据手册

RE1C002UN

ꢀꢀNch 20V 200mA Small Signal MOSFET

Datasheet

ꢀꢀ

lOutline

ꢀ

SOT-416FL

V_DSS

20V

1.2Ω

SC-89

R_DS(on)(Max.)

EMT3F

I_D

±200mA

150mW

ꢀ

P_D

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

llInner circuit

llFeatures

1) Low voltage drive(1.2V) makes this device

ꢀꢀideal for partable equipment.

2) Drive circuits can be simple.

3) Built-in G-S Protection Diode.

llPackaging specifications

Embossed

Tape

Packing

Reel size (mm)

180

llApplication

Tape width (mm)

Type

Switching

Basic ordering unit (pcs)

Taping code

3000

TCL

Marking

llAbsolute maximum ratings (T = 25°C ,unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_DSS

I_D

Value

Unit

Drain - Source voltage

Continuous drain current

Pulsed drain current

±200

±400

±8

I_DP

V_GSS

Gate - Source voltage

P_D

Power dissipation

150

℃

T_j

Junction temperature

150

T_stg

Operating junction and storage temperature range

-55 to +150

℃

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

www.rohm.com

ꢀ ꢀ

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20160624 - Rev.001

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