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RD51SB

更新时间: 2024-01-11 18:50:06
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 57K
描述
Zener Diode, 51V V(Z), 5.88%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, SUPER MINIMOLD PACKAGE-2

RD51SB 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SUPERMINI-2
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.69
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G2
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.2 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:51 V表面贴装:YES
技术:ZENER端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL最大电压容差:5.88%
工作测试电流:2 mA

RD51SB 数据手册

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RD2.0S to RD120S  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 ± 2 °C)  
Type Number  
Class  
Zener Voltage  
Dynamic  
Reverse Current  
Note 1  
Note 2  
Vz (V)  
Impedance Zz ()  
IR (µA)  
MIN.  
37.00  
40.00  
44.00  
48.00  
53.00  
58.00  
64.00  
70.00  
77.00  
85.00  
94.00  
104.0  
114.0  
MAX.  
41.00  
45.00  
49.00  
54.00  
60.00  
66.00  
72.00  
79.00  
87.00  
96.00  
106.0  
116.0  
126.0  
Iz (mA)  
MAX.  
100  
130  
150  
180  
180  
200  
250  
300  
300  
700  
700  
800  
900  
Iz (mA)  
MAX.  
2
VR (V)  
30  
RD39S  
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
2
2
2
2
2
2
2
2
2
1
1
1
1
2
RD43S  
RD47S  
RD51S  
RD56S  
RD62S  
RD68S  
RD75S  
RD82S  
RD91S  
RD100S  
RD110S  
RD120S  
2
2
2
2
2
2
2
2
1
1
1
1
2
33  
2
36  
1
39  
1
43  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
47  
52  
57  
63  
69  
76  
84  
91  
Note 1. Vz is tested with pulsed (40 ms).  
2. Zz is measured at Iz by given a very small A.C. current signal.  
Data Sheet D11444EJ3V0DS00  
4

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RD51S-T2B NEC Zener Diode, 51V V(Z), 5.88%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, SUPERMINI-2

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