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RD30M-T1B-AT

更新时间： 2024-01-19 07:41:21

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瑞萨 - RENESAS		测试光电二极管
页数	文件大小	规格书
10页	243K
描述
ZENER DIODE,SINGLE, TWO TERMINAL,30V V(Z),SC-59

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RD30M-T1B-AT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	MINIMOLD, SC-59, 3 PIN
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.84
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	80 Ω
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	225
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.2 W
标称参考电压：	30 V	子类别：	Voltage Reference Diodes
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
最大电压容差：	6.67%	工作测试电流：	2 mA
Base Number Matches：	1

RD30M-T1B-AT 数据手册

RD2.0M to RD47M

(3/3)

Reverse Current

I^R(μ A)

Dynamic Impedance

Zener Voltage

VZ (V) ^{Note 1}

MAX.

Type

Z^Z(Ω) ^{Note 2}

Class

Number

MIN.

20.88

21.54

22.23

22.93

23.72

24.54

25.10

28.00

31.00

34.00

37.00

40.0

I^Z(mA)

MAX.

IZ (mA)

MAX.

VR (V)

RD22M

23.17

21.77

22.47

23.17

25.57

23.96

24.78

25.57

28.90

32.00

35.00

38.00

41.00

45.0

RD24M

RD27M

RD30M

RD33M

RD36M

RD39M

RD43M

RD47M

100

130

150

44.0

49.0

Notes 1. Tested with pulse (40 ms).

2. Z^Zis measured at IZ by given a very small A.C. current signal.

Data Sheet D14716EJ7V0DS

1...3 4 567 8 9 10

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与RD30M-T1B-AT相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
RD30M-T2B	NEC	0.2W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, PLASTIC, SC-59, 3 PIN	获取价格
RD30M-T2B-AT	RENESAS	ZENER DIODE,SINGLE, TWO TERMINAL,30V V(Z),SC-59	获取价格
RD30MW	NEC	ZENER DIODES 200 mW 3-PIN MINI MOLD	获取价格
RD30MW	RENESAS	VOLTAGE REGULATOR DIODE	获取价格
RD30MWB	NEC	Zener Diode, 30V V(Z), 6.67%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, PLASTIC, SC-59, 3 PIN	获取价格
RD30MWB	RENESAS	30V, 0.2W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, PLASTIC, SC-59, 3 PIN	获取价格