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RD16SLN

更新时间: 2024-01-26 20:41:44
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 稳压二极管
页数 文件大小 规格书
12页 96K
描述
Zener Diode, 16.02V V(Z), 5.56%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, SUPER MINIMOLD PACKAGE-2

RD16SLN 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:R-PDSO-G2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.49
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:40 Ω
JESD-30 代码:R-PDSO-G2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.15 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:16 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:5.64%工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

RD16SLN 数据手册

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RD2.0E to RD200E  
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 ˚C)  
Fig. 1 ZENER CURRENT vs.  
ZENER VOLTAGE  
Fig. 2 ZENER CURRENT vs.  
ZENER VOLTAGE  
T = 25 ˚C  
A
P = 500 mW  
RD5.1E  
RD2.0E  
RD2.2E  
RD2.4E  
RD2.7E  
RD3.0E  
RD3.3E  
RD3.3E  
RD3.6E  
RD4.3E  
T = 25 ˚C  
A
TYP.  
TYP.  
RD5.6E RD6.8E  
P = 500 mW  
RD11E  
100 m  
100 m  
10 m  
1 m  
RD7.5E  
RD8.2E  
RD9.1E  
RD10E  
RD6.2E  
RD12E  
RD13E  
10 m  
RD4.7E  
1 m  
100  
10  
1
µ
µ
µ
100  
10  
1
µ
µ
µ
100 n  
100 n  
10 n  
1 n  
10 n  
1 n  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
7
8
9
10 11 12 13 14 15  
V
z
– Zener Voltage – V  
Vz  
– Zener Voltage – V  
Fig. 4 ZENER CURRENT vs.  
ZENER VOLTAGE  
Fig. 3 ZENER CURRENT vs.  
ZENER VOLTAGE  
T
TYP.  
A
= 25 ˚C  
T = 25 ˚C  
A
TYP.  
P = 500 mW  
100 m  
10 m  
1 m  
P = 500 mW  
100 m  
10 m  
1 m  
RD27E  
RD30E  
RD15E  
RD16E  
RD22E  
RD18E  
RD24E  
RD20E  
100  
10  
1
µ
µ
µ
100  
10  
1
µ
µ
µ
100 n  
100 n  
10 n  
1 n  
10 n  
1 n  
0
16 18 20 22 24 26 28 30 32  
– Zener Voltage – V  
0
12 13 14 15 16 17 18 19 20  
– Zener Voltage – V  
V
z
Vz  
5

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