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RD12MVS1

更新时间： 2024-01-24 10:31:32
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 晶体射频场效应晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
7页 496K
描述
RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor, 175MHz, 12W

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RD12MVS1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：ROHS COMPLIANT PACKAGE-10
针数：10Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.68
Is Samacsys：N外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A最大漏极电流 (ID)：4 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-XQCC-N3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：125 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：50 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

RD12MVS1 数据手册

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MITSUBISHI RF POWER MOS FET  
ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE  
OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS  
RD12MVS1  
RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor, 175MHz, 12W  
DESCRIPTION  
OUTLINE DRAWING  
4.6+/-0.05  
RD12MVS1 is a MOS FET type transistor  
specifically designed for VHF RF power  
amplifiers applications.  
3.3+/-0.05  
0.8+/-0.05  
6.0+/-0.15  
0.2+/-0.05  
1
2
FEATURES  
High Power Gain:  
Pout>11.5W, Gp>12dB@Vdd=7.2V,f=175MHz  
High Efficiency: 57%typ. (175MHz)  
3
(0.25)  
(0.25)  
INDEX MARK  
(Gate)  
APPLICATION  
For output stage of high power amplifiers in  
VHF band mobile radio sets.  
Terminal No.  
1.Drain (output)  
2.Source (GND)  
3.Gate (input)  
Note  
( ):center value  
UNIT:mm  
RoHS COMPLIANT  
RD12MVS1-101,T112 is a RoHS compliant  
products.  
RoHS compliance is indicate by the letter “G” after the Lot Marking.  
This product include the lead in high melting temperature type solders.  
How ever,it applicable to the following exceptions of RoHS Directions.  
1.Lead in high melting temperature type solders(i.e.tin-lead older alloys containing more than85% lead.)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
(Tc=25 , UNLESS OTHERWISE NOTED)  
°C  
SYMBOL  
VDSS  
VGSS  
ID  
PARAMETER  
CONDITIONS  
RATINGS  
50  
+/- 20  
UNIT  
V
V
Drain to Source Voltage VGS=0V  
Gate to Source Voltage VDS=0V  
Drain Current  
4
A
Pin  
Pch  
Tj  
Tstg  
Rthj-c  
Input Power  
Zg=Zl=50Ω  
Tc=25°C  
2
50  
150  
W
W
°C  
Channel Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Thermal Resistance  
-40 to +125  
2.5  
°C  
Junction to Case  
°C/W  
Note: Above parameters are guaranteed independently.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc=25 , UNLESS OTHERWISE NOTED)  
°C  
LIMITS  
MIN. TYP. MAX.  
UNIT  
SYMBOL  
PARAMETER  
CONDITIONS  
IDSS  
IGSS  
VTH  
Pout  
ηD  
Zero Gate Voltage Drain Current VDS=17V, VGS=0V  
-
-
-
-
-
12  
57  
10  
1
4.4  
-
uA  
uA  
V
W
%
Gate to Source Leak Current  
Gate Threshold Voltage  
Output Power  
VGS=10V, VDS=0V  
VDS=12V, IDS=1mA  
f=175MHz,VDD=7.2V  
Pin=1.0W,Idq=1.0A  
1.8  
11.5  
55  
Drain Efficiency  
-
VDD=9.2V,Po=12W(Pin Control)  
f=175MHz,Idq=1.0A,Zg=50Ω  
Load VSWR=20:1(All Phase)  
Load VSWR tolerance  
Not destroy  
-
Note: Above parameters, ratings, limits and conditions are subject to change.  
RD12MVS1  
10 Jan 2006  
MITSUBISHI ELECTRIC  
1/7  
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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
RD12MVS1_10 MITSUBISHI RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor, 175MHz, 12W

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RD12MVS1_11 MITSUBISHI RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor, 175MHz, 12W

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