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| 是否无铅： | 含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | BGA-64 |
| 针数： | 64 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.75 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 120 ns | 备用内存宽度： | 8 |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B64 | 长度： | 13 mm |
| 内存密度： | 67108864 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 16 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 64 |
| 字数： | 4194304 words | 字数代码： | 4000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 4MX16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TBGA |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 编程电压： | 2.7 V | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | NOT SPECIFIED | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 10 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RC28F640J3C-125 | INTEL |
获取价格 |
Intel StrataFlash Memory (J3) |
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| RC28F640J3C-150 | INTEL |
获取价格 |
Intel StrataFlash Memory (J3) |
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| RC28F640J3C-1XX | INTEL |
获取价格 |
Intel StrataFlash Memory (J3) |
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| RC28F640J3D-75 | NUMONYX |
获取价格 |
Numonyx™ Embedded Flash Memory (J3 v. D) |
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| RC28F640J3D75A | ROCHESTER |
获取价格 |
4MX16 FLASH 2.7V PROM, 75ns, PBGA64, ESBGA-64 |
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| RC28F640J3D75A | MICRON |
获取价格 |
32Mb, 64Mb, 128Mb, 256Mb Monolithic Embedded Parallel NOR Flash Memory |
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| RC28F640J3D75B | NUMONYX |
获取价格 |
Flash, 4MX16, 75ns, PBGA64, ESBGA-64 |
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| RC28F640J3D75B | MICRON |
获取价格 |
32Mb, 64Mb, 128Mb, 256Mb Monolithic Embedded Parallel NOR Flash Memory |
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| RC28F640J3D75D | NUMONYX |
获取价格 |
Flash, 4MX16, 75ns, PBGA64, ESBGA-64 |
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| RC28F640J3D75D | MICRON |
获取价格 |
32Mb, 64Mb, 128Mb, 256Mb Monolithic Embedded Parallel NOR Flash Memory |
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