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RC28F640J3F75

更新时间： 2023-05-15 00:00:00

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恒忆 - NUMONYX		内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
66页	707K
描述
Flash, 4MX16, 75ns, PBGA64, ESBGA-64

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RC28F640J3F75 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	TBGA, BGA64,8X8,40	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.82	最长访问时间：	75 ns
备用内存宽度：	8	命令用户界面：	YES
通用闪存接口：	YES	数据轮询：	NO
JESD-30 代码：	R-PBGA-B64	长度：	13 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	64	端子数量：	64
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TBGA
封装等效代码：	BGA64,8X8,40	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE	页面大小：	4/8 words
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3/3.3 V
编程电压：	2.7 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	128K	最大待机电流：	0.00012 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.054 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	切换位：	NO
类型：	NOR TYPE	宽度：	10 mm
Base Number Matches：	1

RC28F640J3F75 数据手册

Numonyx™ Embedded Flash Memory (J3 65

nm) Single Bit per Cell (SBC)

32, 64, and 128 Mbit

Datasheet

Product Features

Architecture

Security

— Symmetrical 128-KB blocks

— 128 Mbit (128 blocks)

— 64 Mbit (64 blocks)

— 32 Mbit (32 blocks)

Performance

— Enhanced security options for code

protection

— 128-bit Protection Register:

64 unique device identification bits

64 user-programmable OTP bits

— Absolute protection with V_PEN= Vss

— Individual block locking

— Block erase/program lockout during power

transitions

— 75 ns Initial Access Speed

— 25 ns 8-word Asynchronous page-mode

reads

— 256-Word write buffer for x16 mode, 256-

Byte write buffer for x8 mode;

Software

— Program and erase suspend support

4 µs per Byte Effective programming time

— Flash Data Integrator (FDI), Common Flash

Interface (CFI) Compatible

— Scalable Command Set

System Voltage

— V_CC= 2.7 V to 3.6 V

— V_CCQ= 2.7 V to 3.6 V

Packaging

Quality and Reliability

— Operating temperature:

-40 °C to +85 °C

— 100K Minimum erase cycles per block

— 65 nm ETOX™ X Flash Technology

— 56-Lead TSOP

— 64-Ball Numonyx^™Easy BGA package

208032-01

May 2009

12 3 4 5 6 7...66

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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RC28F640J3F75B	MICRON	获取价格	32Mb, 64Mb, 128Mb, 65nm Embedded Parallel NOR Flash Memory, Single Bit Per Cell (SBC)
RC28F640P30B85	NUMONYX	获取价格	Numonyx StrataFlash Embedded Memory
RC28F640P30B85	INTEL	获取价格	Intel StrataFlash Embedded Memory
RC28F640P30B85A	NUMONYX	获取价格	Flash, 4MX16, 88ns, PBGA64, BGA-64
RC28F640P30B85A	MICRON	获取价格	64Mb, 128Mb, 256Mb, 512Mb, Multilevel Cell, Parallel NOR Flash Memory
RC28F640P30B85B	NUMONYX	获取价格	Flash, 4MX16, 88ns, PBGA64, BGA-64
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