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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | IN-LINE, R-CDIP-T14 | 针数： | 14 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 8 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 8 pF | JESD-30 代码： | R-CDIP-T14 |
| 元件数量： | 4 | 端子数量： | 14 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 3 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RBVQ1000N7 | SUPERTEX |
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Power Field-Effect Transistor, 0.225A I(D), 60V, 5.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| RBVQ2001P | SUPERTEX |
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Power Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 30V, 2ohm, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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| RBVQ2006P | SUPERTEX |
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Power Field-Effect Transistor, 0.41A I(D), 90V, 5ohm, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| RBVQ3001N7 | SUPERTEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 40V, 4-Element, N-Channel and P-Channel, |
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| RBW2 | E-SWITCH |
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RBW2 SERIES |
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| RBW2ABLKBILEF3 | E-SWITCH |
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| RBW2ABLKBLKEF0 | E-SWITCH |
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|
| RBW2ABLKBLKFF0 | E-SWITCH |
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E-SWITCH RBW2ABLKBLKFF0 |
|
| RBW2ABLKBLKIF0 | E-SWITCH |
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| RBW2ABLKGILEF1 | E-SWITCH |
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E-SWITCH RBW2ABLKGILEF1 |
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