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RBVQ2001P

更新时间: 2024-09-22 21:04:03
品牌 Logo 应用领域
超科 - SUPERTEX 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 60K
描述
Power Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 30V, 2ohm, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

RBVQ2001P 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:IN-LINE, R-CDIP-T14
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.84
配置:SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (ID):0.6 A最大漏源导通电阻:2 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):60 pF
JESD-30 代码:R-CDIP-T14元件数量:4
端子数量:14工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
极性/信道类型:P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):2 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):30 ns最大开启时间(吨):30 ns
Base Number Matches:1

RBVQ2001P 数据手册

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