RB851Y

更新时间： 2024-02-26 00:21:51

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罗姆 - ROHM		整流二极管肖特基二极管测试光电二极管
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Schottky barrier diode

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RB851Y 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	SC-75A
包装说明：	R-PDSO-F4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.59
Is Samacsys：	N	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.46 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-F4
JESD-609代码：	e2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	4
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	0.03 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	3 V	最大反向电流：	0.7 µA
反向测试电压：	1 V	子类别：	Other Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

RB851Y 数据手册

RB851Y

Diodes

Schottky barrier diode

RB851Y

zApplications

zDimensions (Unit : mm)

zLand size figure (Unit : mm)

High frequency detection

0.5

1.6±0.1

1.6±0.05

0.22±0.05

0.13±0.05

zFeatures

(4)

(3)

1) Ultra small mold type. (EMD4)

2) Low Ct and high detection efficiency.

1.0

0～0.1

EMD4

(1)

(2)

zConstruction

zStructure

0.5

1.0±0.1

Silicon epitaxial planar

0.5±0.05

ROHM : EMD4

JEITA : SC-75A Size

dot (year week factory)

zTaping specifications (Unit : mm)

φ1.5±0.1

2.0±0.05

4.0±0.1

0.3±0.1

ꢀꢀꢀꢀꢀ

1PIN

φ0.8±0.1

1.7± 5

1.65±0.00.1

4.0±0.1

0.65±0.1

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Reverse voltage (DC)

Forward current(DC)(*1)

Junction temperature

Storage temperature

Limits

Symbol

V_R

Unit

℃

125

I_F

-40 to +125

Tstg

℃

(*1)Rating of per diode

zElectrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

0.46

0.7

Unit

Conditions

Forward voltage

V_F

I_R

I_F=1mA

V_R=1V

Reverse current

µA

Capacitance between terminal

0.8

V_R=0V , f=1MHz

Rev.B

1/2

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