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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | R-PBCC-N2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 7.72 |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | R-PBCC-N2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最大输出电流： | 0.1 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 30 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RB521S-30Q | YANGJIE |
获取价格 |
SOD-523 |
|
| RB521S30-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
200 mA low VF Schottky barrier rectifierProduction |
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| RB521S-30-Q1 | ANBON |
获取价格 |
SOD-523 |
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| RB521S-30RK | TSC |
获取价格 |
200mW, Low VF SMD Schottky Barrier Diode |
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| RB521S-30RKG | TSC |
获取价格 |
200mW, Low VF SMD Schottky Barrier Diode |
|
| RB521S30T/R13 | PANJIT |
获取价格 |
SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODE |
|
| RB521S30T/R7 | PANJIT |
获取价格 |
SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODE |
|
| RB521S30T1 | ONSEMI |
获取价格 |
Schottky Barrier Diode |
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| RB521S-30-T1 | WTE |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-2 |
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| RB521S30T1/D | ONSEMI |
获取价格 |
Schottky Barrier Diode |
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