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RB521S-30

更新时间： 2024-09-26 12:25:35

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鲁光 - LGE		肖特基二极管光电二极管
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Schottky barrier Diode

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RB521S-30 数据手册

RB521S-30

Schottky barrier Diode

SOD-523

FEATURES

Small surface mounting type

Low reverse current and low forward voltage

High reliability

Dimensions in inches and (millimeters)

Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @Ta=25℃

Parameter

DC reverse voltage

Symbol

V_R

Limit

Unit

Mean rectifying current

Peak forward surge current

Power dissipation

I_O

I_FSM

P_D

200

150

℃/W

℃

R_θ

Thermal Resistance Junction to Ambient

Junction temperature

667

T_j

125

Storage temperature

T_stg

-55~+150

℃

Electrical Ratings @Ta=25℃

Parameter

Symbol

Min

Typ

Max

0.5

Unit

Conditions

I_F=200mA

V_R=10V

Forward voltage

Reverse current

V_F

I_R

μA

http://www.luguang.cn

Email:lge@luguang.cn

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