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RAL025P01

更新时间： 2024-02-04 11:41:26

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罗姆 - ROHM		驱动
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描述
1.5V Drive Pch MOSFET

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RAL025P01 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.72	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	12 V	最大漏极电流 (ID)：	2.5 A
最大漏源导通电阻：	0.062 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F6	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

RAL025P01 数据手册

Data Sheet

1.5V Drive Pch MOSFET

RAL025P01

 Structure

 Dimensions (Unit : mm)

Silicon P-channel MOSFET

TUMT6

Features

1) Low On-resistance.

2) Small high power package.

3) Low voltage drive.(1.5V)

Abbreviated symbol : SD

 Application

Switching

 Packaging specifications

 Inner circuit

Package

Taping

TCR

3000



(6)

(5)

(4)

Type

Code

Basic ordering unit (pieces)

∗2

RAL025P01

∗1

(1) Drain

(2) Drain

(3) Gate

(4) Source

(5) Drain

(6) Drain

 Absolute maximum ratings (Ta = 25C)

Parameter

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Limits

12

Unit

(1)

(2)

(3)

Drain-source voltage

∗1 ESD PROTECTION DIODE

∗2 BODY DIODE

Gate-source voltage

0 to 8

2.5

Continuous

Drain current

Pulsed

I_DP

6

Continuous

Pulsed

I_S

0.8

6

Source current

(Body Diode)

I_SP

Power dissipation

P_D

C

Channel temperature

Tch

Tstg

150

Range of storage temperature

*1 Pw10s, Duty cycle1%

55 to 150

*2 Mounted on a ceramic board.

 Thermal resistance

Parameter

Symbol

Rth (ch-a)^*

Limits

125

Unit

Channel to Ambient

*Mounted on a ceramic board.

C / W

www.rohm.com

2011.04 - Rev.A

1/6

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