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R8008ANX

更新时间： 2024-02-10 05:44:56

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罗姆 - ROHM		驱动
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6页	1168K
描述
10V Drive Nch MOSFET

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R8008ANX 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	7.83	雪崩能效等级（Eas）：	4.2 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	800 V	最大漏极电流 (ID)：	8 A
最大漏源导通电阻：	1.03 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	32 A
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

R8008ANX 数据手册

Data Sheet

10V Drive Nch MOSFET

R8008ANX

 Structure

 Dimensions (Unit : mm)

TO-220FM

Silicon N-channel MOSFET

10.0

φ3.2

4.5

2.8

Features

1.2

1) Low on-resistance.

2) Low input capacitance.

3) High ESD.

1.3

0.8

(1) Gate

(2) Drain

(3) Source

2.54

0.75

2.6

( ) ( ) ( )

1 2 3

 Application

Switching

 Packaging specifications

 Inner circuit

Package

Bulk

Type

Code

∗1

Basic ordering unit (pieces)

500



R8008ANX

(1) Gate

(2) Drain

(3) Source

(1)

(2)

(3)

1 BODY DIODE

 Absolute maximum ratings (Ta = 25C)

Parameter Symbol

Drain-source voltage

Limits

Unit

V_DSS

V_GSS

800

Gate-source voltage

30

Continuous

Pulsed

I_D

I_DP

I_S

8

Drain current

32

Continuous

Pulsed

Source current

(Body Diode)

I_SP

I_AS

E_AS

P_D

T_ch

T_stg

Avalanche current

Avalanche energy

Power dissipation

Channel temperature

4.2

C

150

Range of storage temperature

55 to 150

*1 Pw10s, Duty cycle1%

*2 L 500H, V_DD=50V, R_G=25, T_ch=25°C

*3 Limited only by maximum channel temperature allowed.

*4 T_C=25°C

 Thermal resistance

Parameter

Channel to Case

Symbol

R_{th (ch-c)}

Limits

2.5

Unit

C / W

www.rohm.com

2011.10 - Rev.A

1/5

12 3 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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