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R6504KND3

更新时间： 2023-09-03 20:39:12

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罗姆 - ROHM		开关功率因数校正
页数	文件大小	规格书
14页	2216K
描述
R6xxxKNx系列是重视高效性，以高速开关性能为特点的Super Junction MOSFET产品。该系列产品可在追求高速开关的应用中实现更优异的性能。高速开关性能有助于实现PFC和LLC等电路的高效率化。

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R6504KND3 数据手册

R6504KND3

Datasheet

Unit

llThermal resistance

Values

Min. Typ. Max.

Parameter

Symbol

R_thJC

Thermal resistance, junction - case

2.2

℃/W

R_thJA

Thermal resistance, junction - ambient

Soldering temperature, wavesoldering for 10s

147 ℃/W

T_sold

265

℃

llElectrical characteristics (T_a= 25°C)

Values

Parameter

Symbol

V_(BR)DSS

Conditions

Unit

Min. Typ. Max.

Drain - Source breakdown

voltage

= 0V, I = 1mA

650

= 650V, V = 0V

Zero gate voltage

drain current

I_DSS

T = 25°C

100

1000

±100

μA

T = 125°C

I_GSS

= ±20V, V = 0V

Gate - Source leakage current

Gate threshold voltage

V_GS(th)

= V , I = 130μA

GS D

= 10V, I = 1.5A

Static drain - source

on - state resistance

R_DS(on)

T = 25°C

0.955 1.050

T = 125°C

2.02

3.3

R_G

Gate resistance

f = 1MHz, open drain

www.rohm.com

2/11

20201030 - Rev.002

123 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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R6505APE	ROCKWELL	获取价格	Microprocessor, 8-Bit, 2MHz, NMOS, PDIP28, DIP-28
R6505C	ROCKWELL	获取价格	Microprocessor, 8-Bit, 1MHz, NMOS, CDIP28, DIP-28
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