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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.63 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 18 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 16 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 16 A | 最大漏源导通电阻： | 0.27 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e2 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 64 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Copper (Sn/Cu) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| R5016ANJTL | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| R5016ANX | ROHM |
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10V Drive Nch MOSFET |
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| R5016FNX | ROHM |
获取价格 |
10V Drive Nch MOSFET |
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| R5019ANJ | ROHM |
获取价格 |
10V Drive Nch MOSFET |
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| R5019ANJTL | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 500V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| R5019ANX | ROHM |
获取价格 |
10V Drive Nch MOSFET |
|
| R502 | POWEREX |
获取价格 |
FAST RECOVERY RECTIFIER |
|
| R5020113 | POWEREX |
获取价格 |
Diode, |
|
| R5020115HSYA | POWEREX |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 150A, 100V V(RRM), Silicon, R50, 1 PIN |
|
| R5020117.5FSYA | POWEREX |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 175A, 100V V(RRM), Silicon, R50, 1 PIN |
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